HS3M R6G
工場モデル | HS3M R6G |
---|---|
メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB |
パッケージ | DO-214AB (SMC) |
株式 | 5875 pcs |
データシート | Mult Dev A/T / PN Chgs 25/Sep/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 3 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1000 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AB (SMC) |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 75 ns |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | DO-214AB, SMC |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | 50pF @ 4V, 1MHz |
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